最高投入15亿元，清溢光电佛山投建掩膜版基地三期

11月9日，清溢光电发布公告，公司控股子公司佛山清溢微电子有限公司拟投资建设高端半导体掩膜版生产基地建设项目三期，计划总投资额不超过15亿元。

公告提到，2023 年 8 月，清溢光电披露了《关于拟对外投资暨签署合作协议的公告》，清溢光电拟在佛山市南海区投资人民币 35 亿元建设佛山生产基地项目，其中“高端半导体掩膜版生产基地建设项目”分三期建设，合计拟投资人民币 15 亿元，其中一期拟投资人民币6.05亿元，二期拟投资人民币 2.95 亿元，三期拟投资人民币6 亿元。实施主体为佛山清溢微电子有限公司（以下简称“佛山清溢微”，更名前为“广州清溢微电子有限公司”）。前述事项已经公司董事会、股东会审议通过。

目前“高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期”已顺利投产，“高端半导体掩膜版生产基地建设项目二期”正稳步推进中。为抢抓半导体产业国产替代战略机遇，落地公司高端制造、国产替代核心发展战略，补齐高端半导体掩膜版产能缺口，巩固半导体掩膜版国产替代核心竞争力，公司控股子公司佛山清溢微拟在现有高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期、二期基础上投资建设“高端半导体掩膜版生产基地建设项目三期”，第三期项目计划总投资额不超过人民币15亿元。

据公告介绍，该项目定位为面向国内先进制程晶圆制造环节的高端半导体掩膜版本土化配套产能，聚焦 28nm-14nm 节点掩膜版产品供给，承接国内晶圆厂扩产及制程升级带来的掩膜版增量需求，有助于补齐国内先进制程掩膜版供给短板；依托本土交付、快速技术协同、稳定保供优势，服务国内芯片设计与制造产业链，提升先进节点掩膜版自主供给能力，成为国内先进制程掩膜版国产替代的重要供应商。

来源：公告

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