存储供应商明年将上调HBM3E价格 2026年HBM3E价格预计涨幅接近20%
HBM3E逆势涨价近20%:AI浪潮下的存储芯片新博弈, 当市场预期新一代产品将取代旧款时,存储巨头三星和SK海力士却宣布将HBM3E价格上调近20%,这一罕见举动背后,是人工智能硬件需求对全球供应链的重塑。
近日,全球存储芯片行业传出一个颇为罕见的价格信号:主要供应商已确定上调2026年HBM3E内存的价格,涨幅接近20%。这一变化打破了行业惯例——通常在新一代HBM产品面世前,前代产品价格会自然下调。
与此同时,市场研究机构TrendForce观察到另一个趋势:曾经价格高出服务器DDR5内存四到五倍的HBM3E,其溢价优势正在快速收敛。
预期到2026年底,这一差距将缩小至仅一至二倍。
HBM市场的价格异动
在存储芯片的发展历程中,产品迭代往往伴随着清晰的价格曲线。新一代技术的诞生,通常意味着前代产品将逐步降价让出市场空间。然而,当前HBM3E的价格走势却偏离了这一传统路径。
从最初的谈判情况看,2025年5月,主要买家与三大DRAM供应商展开2026年采购协商时,买方曾占据定价主导地位,当时达成的2026年HBM3e初始采购单价甚至显著低于2025年水平。

然而市场在第三季度开始快速反转。
AI相关服务器部署需求超出预期,各大云端服务供应商纷纷扩大服务器DDR5的备货规模,并提前拟定20262027年的采购计划,迅速形成了市场缺货格局。
供需失衡背后的多重驱动
这次价格调整的背后,是供需两端多种因素共同作用的结果。供应方面,存储厂商预计明年第六代HBM的需求将显著增加,因此正加大对其产能的投入,这不可避免地挤压了HBM3E的生产资源。
需求端的增长更为强劲。除了行业领军企业外,来自谷歌、亚马逊等科技巨头的订单量也大幅攀升。值得注意的是,这些公司即将推出的新一代AI加速芯片对HBM3E的需求量都有显著提升。
有分析指出,谷歌第七代TPU和亚马逊Trainium的HBM搭载量较上一代产品增加了约20%至30%。
此外,近期一项出口许可的批准也为市场需求增添了新变量。随着相关人工智能芯片获准向特定市场出口,HBM3E的需求进一步超出预期。据了解,每颗相关芯片需要搭载六颗HBM3E堆栈。
产业链的连锁反应
HBM3E价格的异常上涨,正在整个存储芯片行业引发连锁反应。随着传统DRAM产品获利的逐步上升,部分供应商开始将产能向DDR5倾斜,这反而为HBM3E创造了更大的涨价空间。

在GPU与ASIC需求双双上调的背景下,主要买家纷纷追加HBM3E采购,以应对未来一年AI系统的大规模建设。综合这些因素,供应商重新获得了定价主导权,开始调整先前被压得过低的合约价。
从更宏观的存储器市场看,行业正经历一个显著的“超级周期”。有华尔街机构预测,尽管2026年底可能开始逐步正常化,但当前的价格上升趋势仍将持续。报告特别指出,高带宽存储器因AI需求旺盛,价格表现将更为坚挺。
值得注意的是,HBM3E的价格变化也反映了存储技术的快速迭代。据分析师预测,2026年HBM市场的营收构成将呈现新老交替的格局:HBM4预计占据55%份额,而HBM3E仍将保持45%的比重。从明年第三季度起,HBM4将开始快速吸收原本由HBM3E满足的需求。
未来市场走向与行业影响
2026年,整个HBM市场预计将保持强劲增长。有分析预测,2026年HBM位元出货量将实现100%的增长,2027年再增加35%。市场的火爆程度从一些头部企业的销售情况可见一斑:美光已透露,公司2026年全年HBM的供应量已全部售罄。
面对激增的市场需求,主要供应商正在加大投资力度。美光预计2026年资本支出将达到200亿美元,用于支持HBM和先进DRAM的供应。整个存储产业后续的资本开支预计将持续增长,但受限于产能建设周期,2026年这些新增投资对实际产能的帮助可能有限。

有机构预计,2026年DRAM和NAND资本开支将分别同比增长14%和5%,扩产重点仍将优先满足AI高端存储的需求。
在这场存储芯片的变革中,不同技术路线的发展速度也不尽相同。NAND市场的资本支出增长相对有限,预计2026年增幅为30%,但由于基数较低,整体支出规模仍远低于2022年的水平。因此,NAND价格走势可能不如DRAM显著。
随着全球AI基础设施建设的持续推进,HBM作为高端存储的核心组件,其市场地位日益巩固。从短期看,供应紧张的局面可能难以迅速缓解;从长期看,技术迭代与产能扩张将共同塑造这一领域的竞争格局。这场由AI驱动的存储芯片博弈,才刚刚拉开序幕。
半导体晶圆正在自动化生产线上流转,反射出机械臂冰冷的金属光泽。对于依赖这些高端芯片的全球科技公司而言,存储成本的上调最终可能转化为AI服务价格的微妙变化。当消费者使用智能助理或享受个性化推荐时,或许不会意识到,这些便捷服务背后,是一场发生在纳米尺度上的资源争夺战。