韩媒嘲讽长鑫HBM3良率仅25%:4个里3个是废品!拿什么追SK海力士
科技杂谈 2026-09-11
euiyhu9856
9月10日消息,据韩国《朝鲜日报》报道,中国最大DRAM厂商长鑫存储(CXMT)已启动第四代高带宽内存HBM3的试产,但初期良率迟迟无法突破,停留在25% 的水平。暗讽4个里3个是废品。
该媒体同时高调吹捧SK海力士同款产品,并称SK海力士自2022年起量产同类HBM3产品,良率已超过90%。半导体行业公认的量产黄金良率为80%,长鑫存储目前仅达到其三分之一。
韩媒将问题根源指向TSV硅通孔技术。报道指出,长鑫存储用于HBM的G4工艺制造的普通DRAM本身没有大问题,真正的瓶颈在于TSV。

TSV是在DRAM芯片堆叠时,在每一层钻出数千个微米级小孔并填入铜,实现垂直电气连接。孔一旦偏移或填充不完整,整层芯片即告报废。
报道援引业界数据称,长鑫存储每颗芯片的TSV数量约3000个,而三星HBM2超过5000个,SK海力士HBM3超过8000个。韩媒借此强调韩企在TSV工艺上的领先。
韩媒还引述业内人士称,TSV的工艺诀窍不是一朝一夕能积累的,三星和SK海力士在这方面已有4至5年的领先优势。
不过报道也承认,长鑫存储正将少量HBM样品供应给寒武纪等中国企业,在持续改善良率的同时推进商业化进程。

The End
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