酷搜科技 健康科学 三星即将发布创新DDR5内存:12纳米工艺引领行业新风向

三星即将发布创新DDR5内存:12纳米工艺引领行业新风向

【ITBEAR科技资讯】2月5日消息,三星在固态电路技术的前沿再次迈出坚定步伐。据悉,三星计划在即将到来的2024年IEEE国际固态电路峰会上,向全球展示其多款尖端内存产品,其中不乏此前已引发业内关注的GDDR7内存。

除了GDDR7外,三星还将带来一款突破性的DDR5内存芯片。这款芯片采用了先进的12纳米级工艺技术,实现了在相同封装尺寸下,容量达到16Gb DDR5
DRAM的两倍,即32Gb。这一创新不仅优化了内存结构,更预示着未来内存技术的新方向。

据ITBEAR科技资讯了解,这款DDR5内存的I/O速度令人印象深刻,每个引脚高达8000Mbps。其设计基于三星第五代10nm级晶圆代工节点的Symmetric-Mosaic架构,这一架构是专门为DRAM产品量身定制的,以优化性能和效率。

三星电子内存产品和技术执行副总裁SangJoon Hwang在谈及这款新产品时表示:“通过我们的12nm级32Gb DRAM,我们已经找到了实现高达1TB
DRAM模块的解决方案。这使我们能够满足人工智能和大数据时代对高容量DRAM的迫切需求。我们将继续推动工艺和设计技术的创新,以突破内存技术的极限。”

以往使用16Gb DRAM制造的DDR5 128GB模块需要依赖硅通孔(TSV)工艺。然而,三星的新32Gb
DRAM无需TSV工艺即可生产128GB模块,这不仅简化了生产过程,更使得功耗降低了约10%。对于正在努力应对人工智能不断增长能源需求的数据中心来说,这无疑是一个重要的进步。

此外,三星的最新DDR5技术还支持在单通道配置下以DDR5-8000速度构建32GB和48GB DIMM,同时在双通道配置下支持64GB和96GB
DIMM。这一灵活性使得该技术能够适应多种不同的应用场景和需求。

(来源:ITBEAR)

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